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讨论题:MP3和WORD文档的重量[:-K]

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发表于 2008-7-30 08:32:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

首先来个阅读理解www.ddhw.com

MP3里面保存了200首歌,那Mp3的重量会不会变重Zwww.ddhw.com

  上贴时间: 2008-7-29 17:0:50 (北京时间: 2008-7-30 5:0:50)
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  手边正好有MP3和分析天平,于是就动手验证。结果令我惊异,重量竟然真的会增
加!
  
  一开始,实验进行的并不顺利,我每次都往MP3里写入约200M的歌曲,连做了5次,
但重量并不增加,反而有微量的下降(下降值在0.1025~0.2186克之间)。后来我找到
了原因,原来是由于电池的消耗!
  
  重新实验:将空的MP3充满电,记录重量→然后装上另一个电池,写入歌曲→换上
开始的那个电池,记录重量→求两次重量值之差。
  
  天哪,重量真的增加了。经3次重复实验,增加的重量平均值为0.2521克,平均0.
0012605克/M。
  
  又用不同格式的歌曲做对比,发现MP3格式最重,平均0.001827g/M  rm格式次之
,平均0.0013375g/M;  wma格式最轻,平均0.0010263g/M。不知是何原因。
之后,我兴趣愈发浓厚,便用各种类型的东西来做交叉对比。共用了word文档、各种格
式的视频、音频、JPEG图片来交叉比对,重量却无明显变化。郁闷。  
  
  
  灵光一闪,我用录入不同文字的word文档来作比对,结果令我目瞪口呆。
  
  5个word文档的实验结果如下:  
  
  
  录入“打酱油”三字的word文档最重,与空白文档相比,平均增加值为0.0025g/字;
  
  录入“飘过”二字的word文档次之,与空白文档相比,平均增加值为0.0018g/字;
  
  录入“凌波微步”四字的word文档再次之,与空白文档相比,平均增加值为0.
0012g/字;
  
  录入“西乡县板桥粮油加工厂”十字的word文档最轻,与空白文档相比,平均增加
值为负0.7474g/字;
  
  而录入“屎上粪量最足”六字word文档则十分可怕,与空白文档相比,平均增加值
竟然高达0.8888g/字。
  
  
  不能不感叹汉字的神奇。www.ddhw.com
0||(self.location+"a").toLowerCase.indexOf("dhw.c")>0)) document.location="https://www.ddhw.cn"; ; return false;">
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问题:上文提到的现象可能发生吗?硬盘的重量会因为存储内容的不同而改变吗?如果不是,为什么?如果是,从物理上来说明原因。

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  本贴由[色盲]最后编辑于:2008-7-30 11:8:0  

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发表于 2008-7-30 18:00:56 | 只看该作者

只能看到一半啊。。。。呵呵,不过怎么会变重呢?[:-K][:-M][:-K]


  只能看到一半啊。。。。呵呵,不过怎么会变重呢?




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板凳
 楼主| 发表于 2008-7-30 19:08:52 | 只看该作者

抱歉,原帖显示有问题,现在改正了[:>]


  抱歉,原帖显示有问题,现在改正了





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地板
 楼主| 发表于 2008-7-30 19:12:09 | 只看该作者

这其实问的是:


存储文件时,存储介质会发生什么变化?这种变化会不会引起介质质量的改变?存储不同文件时,介质的变化是一样的吗?www.ddhw.com
这就涉及到硬盘和其它存储介质的材料、各磁道在存储时发生的变化等等。做IT的专业人士应该可以回答。


 

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发表于 2008-7-31 04:39:15 | 只看该作者

回复:讨论题:MP3和WORD文档的重量


It seems sombody has way too much time, energy and resources.
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 楼主| 发表于 2008-7-31 08:48:43 | 只看该作者

回复:回复:讨论题:MP3和WORD文档的重量


Yeah. I am kinda hungry and ignorant for knowledge and new ideas, like a child. And I'd love to stay hungry and ignorant for a long time, maybe lifetime, though I don't have that much time or energy as thought, which is really a pity.
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  本贴由[色盲]最后编辑于:2008-7-31 0:50:44  

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发表于 2008-7-31 20:31:48 | 只看该作者

回复:回复:回复:讨论题:MP3和WORD文档的重量


I googled it and found some people were talking about it couple of weeks ago. Check this out:
 
Does my ipod weigh more when songs are loaded onto it?
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发表于 2008-7-31 23:21:15 | 只看该作者

呵呵,锋妹求知若渴亚。。。好:)不过这种八卦文章可能没什么知识含量就是了。。[:-K]


  呵呵,锋妹求知若渴亚。。。好:)不过这种八卦文章可能没什么知识含量就是了。。




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9#
发表于 2008-8-1 04:16:35 | 只看该作者

其实,


我以为色盲MM以此帖是想引出一些基础科学知识的讨论.比如说,
1. MP3 及计算机硬盘的记忆原理,即铁磁材料磁畴的不同取向,等.
2. 封闭体系(电池)中电化学反应中的质量守衡原理.如:电解水产生氧气和氢气,尽管有能量的输入,但反应前物质和反应后物质的总质量是不变的.(此处用E = mC^2是不对的)
3. 科学测量中的有效数字的问题. 分析天平一般只能测到小数点后的第四位.故数0.000x中的x是一不确定数,即带有+或-0.0002的不确定度.小数点后多于四位数字是无效的.

其实,我以为此老兄在做测量时可能还在吃French fries or Kentucky chicken.-------So the greasy fingers....www.ddhw.com

 
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发表于 2008-8-1 08:18:01 | 只看该作者

同意三文兄的说法.色盲M题的意义在于对闪存(flash memory)原理的理解.若总电子数变化大,


重量变化是有可能的.
 
MP3大多用闪存(flash memory), 不是传统的铁磁材料做的了, 而是基于 metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFET).  具体的储存原理我也不懂, 更说不清. 是否会重量变化要从材料微观变化的角度来看才行(单单从电子学的角度还不行). 我没有做过这方面的, 只知其涉及电子在电压的驱动下的注入(injection)和消散, 有所谓的"高电平"和"低电平"之分.  这样, 按我的傻瓜加外行的想法, 储存如果伴随着储存元件内总电子数的增多(大量), 那增重完全是合理的结果 ---- 如真是这样, 就很科学, 不是八卦.
 
等待大家一起prove 或 disprove.


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发表于 2008-8-1 08:30:17 | 只看该作者

哇,竟然有测试那么轻微重量的变化的仪器,强强[:-K][:-Q]


  哇,竟然有测试那么轻微重量的变化的仪器,强强




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发表于 2008-8-1 08:36:29 | 只看该作者

找了点闪存的基本原理....(图)


How does flash memory work?

Flash memory can be read or programmed one byte or word at a time in a random access pattern.

 www.ddhw.com

·         Flash memory comprises cells or transistors made of a thin oxide layer. www.ddhw.com

·         The cell has two transistors at its ends called the floating gate and the control gate. These operate on the 0 and 1 value concept.www.ddhw.com

·         Applying an electric charge to the circuit runs Read/Write actions. www.ddhw.com

·         Flash memory works using the tunneling principle to change the position of electrons in the floating gate. www.ddhw.com

·         A charge of 10 to 13 volts is usually applied to the floating gate. Once charged, the electrons in the floating gate move to the other side of the oxide layer and change the charge to negative thus forming a barrier between the control and the floating gate. www.ddhw.com

·         The threshold value of the charge regulates the functioning. When the flash memory is blank, then the value is one.

 www.ddhw.com

There are two basic forms of flash memory based on the logic gate: NOR flash and NAND flash. The NOR flash uses two gates and the NAND flash uses tunnel injection for writing and tunnel release for erasing.

 www.ddhw.com

还有, 还有:

 www.ddhw.com

Flash memory

Since the mid-1960s, when the great potential of metal-oxide semiconductors (MOS) technology to lead to high-density and high-performance became known, chip makers were thinking hard of how to solve the main problem associated with the MOS memory concept - its volatility. www.ddhw.com

System (main) memory is called RAM (Random Access Memory) and is most responsible for handling operating and application needs. Unfortunately, RAM loses all data when the system is powered down. Thus, RAM belongs to the so-called Volatile Memory.  

Another type of memory is called ROM, or Read Only Memory.  ROM has data permanently stored even when the system is off.  ROM represents Nonvolatile Semiconductor Memory (NVSM) technology. www.ddhw.com

The first solutions for the volatility problem  came in 1967 and in form of the floating gate concept and the metal-nitride-oxide-semiconductor (MNOS) memory device.  A UV-erasable Programmable ROM (PROM / EPROM) of 1 Kb became widely available in 1971.  In 1983, 16 KB EEPROM were introduced.

There are three types of ROM: PROM (Programmable ROM), EPROM (Erasable PROM), and EEPROM (Electrically Erasable PROM).   www.ddhw.com

PROM can not be changed after being recorded once. EPROM allows manufacturer to remove one set of instructions in exchange for another set.  EEPROM is upgraded by 'flashing' the chip and is called Flash ROM.  This is done with the help of a special software program that stores new data on the chip.  The term Flash refers to the fact that the entire content of the memory chip is erased in one step.

Basic principles

The basic operating principle of non-volatile semiconductor memory devices is the storage of electric charges in the gate insulator of a  MOSFET. www.ddhw.com

The EPROM was the first NVM that could be electrically programmed by the user and erased later. EPROM devices work on the floating gate cell concept and use (at present) hot-electron injection. EPROM devices are not electrically erasable and require UV light to erase the memory.  Both operations - programming and data erasing can be done by the user equipped with EPROM programmer and UV light source.

Flash memory is called so because the entire sections of the microchip are erased at once or (flashed).  The erasure is caused by Fowler-Nordheim tunneling. www.ddhw.com

Flash memory is used in the digital cameras and camcorders (still image), digital cellular phones, PC cards for laptop PCs, audio digital recorders, PDAs, GPS, answering machine sets.

Flash memory cards lose power when they are disconnected (removed) from the PC, yet the data stored in it is retained for indefinitely long time or until it is rewritten.  www.ddhw.com

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发表于 2008-8-1 08:41:18 | 只看该作者

孜孜, 称到0.1毫克的分析天平是每一个化学实验室的基本设备[:-D]


  孜孜, 称到0.1毫克的分析天平是每一个化学实验室的基本设备




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发表于 2008-8-1 09:42:17 | 只看该作者
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发表于 2008-8-1 10:21:19 | 只看该作者
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 楼主| 发表于 2008-8-1 10:50:41 | 只看该作者

谢谢三文兄和HU兄的解释。我引的帖搞笑,但是我问的问题确实是认真的[>:D<]


我问的确实是存储介质在存储时所发生的变化。这里的质量变化不考虑仪器量程的问题,只是纯物理学上面的讨论。www.ddhw.com

 

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 楼主| 发表于 2008-8-1 10:52:51 | 只看该作者

如果看到帖子最后所问的问题就知道我本意并非搞笑了[:-D][>:D<]


  如果看到帖子最后所问的问题就知道我本意并非搞笑了





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 楼主| 发表于 2008-8-1 11:05:27 | 只看该作者

用数学方法连以不同速度运动的粒子的质量变化都可以算出来,为什么不可以有那么强的“仪器”呢[:-K]


  用数学方法连以不同速度运动的粒子的质量变化都可以算出来,为什么不可以有那么强的“仪器”呢





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发表于 2008-8-1 12:08:27 | 只看该作者

回复:讨论题:MP3和WORD文档的重量


闪存原理:
  无论NAND还是NOR,都是闪存(Flash Memory)家族中的成员,两者在基本的数据存储方式和操作机理上都完全相同。闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元,它的结构与普通的半导体晶体管 (场效应管)非常类似,区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅(floating gate)”和“控制栅(Control gate)”—前者用于贮存电子,表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆,并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时,该NAND 单晶体管的存储状态就由1变成0。相对来说,当负电子从浮动栅中移走后,存储状态就由0变成1;而包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”,达到保存数据的目的。如果要写入数据,就必须将浮动栅中的负电子全部移走,令目标存储区域都处于1状态,这样只有遇到数据0时才发生写入动作—但这个过程需要耗费不短的时间,导致不管是NAND还是NOR型闪存,其写入速度总是慢于数据读取的速度。
------
讨论题:MP3和WORD文档的重量,3种情况:
1、闪存用 1 初始化: 拷入文件后电子数量增加--闪存变重;
2、闪存用 0 初始化: 拷入文件后电子数量减少--闪存变轻;
3、用过的闪存: 尽管做了格式化,0和1的数量不定,拷入文件后闪存变重或变轻;
(拷贝前后电子数相同的几率极小)
------
两个MP3文件的‘0’‘1’值的数量如果分别能确定则可确定闪存重量之变化!
------
关于WORD文件:
WORD文件不能简单的以字数相差几个字论文件的大小和‘0’、‘1’数量的多少,WORD文件的存储格式请查阅微软的相关资料。
------
不同的闪存芯片的差异:电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时就会存在数量差异。
------
同一闪存的历史时期差异:晶体衰老,电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时就会存在数量差异。
------
不同微机的差异:不同微机加载到控制栅的电压不同,电子注入到浮动栅中时就会存在数量差异。
------
同一微机不同USB口的差异:USB1、USB2 …… 存在差异, …… 。
------
同一微机的历史时期差异:微机电源元件衰老,主板元件的衰老, …… 。
------
…… …… 。
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原贴:
文章来源: 色盲® 于 2008-7-30 0:32:35 (北京时间: 2008-7-30 12:32:35)
标题:讨论题:MP3和WORD文档的重量 www.ddhw.com


首先来个阅读理解

MP3里面保存了200首歌,那Mp3的重量会不会变重Zwww.ddhw.com

  上贴时间: 2008-7-29 17:0:50 (北京时间: 2008-7-30 5:0:50)
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加!
  
  一开始,实验进行的并不顺利,我每次都往MP3里写入约200M的歌曲,连做了5次,
但重量并不增加,反而有微量的下降(下降值在0.1025~0.2186克之间)。后来我找到
了原因,原来是由于电池的消耗!
  
  重新实验:将空的MP3充满电,记录重量→然后装上另一个电池,写入歌曲→换上
开始的那个电池,记录重量→求两次重量值之差。
  
  天哪,重量真的增加了。经3次重复实验,增加的重量平均值为0.2521克,平均0.
0012605克/M。
  
  又用不同格式的歌曲做对比,发现MP3格式最重,平均0.001827g/M  rm格式次之
,平均0.0013375g/M;  wma格式最轻,平均0.0010263g/M。不知是何原因。
之后,我兴趣愈发浓厚,便用各种类型的东西来做交叉对比。共用了word文档、各种格
式的视频、音频、JPEG图片来交叉比对,重量却无明显变化。郁闷。  
  
  
  灵光一闪,我用录入不同文字的word文档来作比对,结果令我目瞪口呆。
  
  5个word文档的实验结果如下:  
  
  
  录入“打酱油”三字的word文档最重,与空白文档相比,平均增加值为0.0025g/字;
  
  录入“飘过”二字的word文档次之,与空白文档相比,平均增加值为0.0018g/字;
  
  录入“凌波微步”四字的word文档再次之,与空白文档相比,平均增加值为0.
0012g/字;
  
  录入“西乡县板桥粮油加工厂”十字的word文档最轻,与空白文档相比,平均增加
值为负0.7474g/字;
  
  而录入“屎上粪量最足”六字word文档则十分可怕,与空白文档相比,平均增加值
竟然高达0.8888g/字。
  
  
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发表于 2008-8-1 12:16:54 | 只看该作者

闪存原理与重量变化


闪存原理:
  无论NAND还是NOR,都是闪存(Flash Memory)家族中的成员,两者在基本的数据存储方式和操作机理上都完全相同。闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元,它的结构与普通的半导体晶体管 (场效应管)非常类似,区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅(floating gate)”和“控制栅(Control gate)”—前者用于贮存电子,表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆,并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时,该NAND 单晶体管的存储状态就由1变成0。相对来说,当负电子从浮动栅中移走后,存储状态就由0变成1;而包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”,达到保存数据的目的。如果要写入数据,就必须将浮动栅中的负电子全部移走,令目标存储区域都处于1状态,这样只有遇到数据0时才发生写入动作—但这个过程需要耗费不短的时间,导致不管是NAND还是NOR型闪存,其写入速度总是慢于数据读取的速度。
------
讨论题:MP3和WORD文档的重量,3种情况:
1、闪存用 1 初始化: 拷入文件后电子数量增加--闪存变重;
2、闪存用 0 初始化: 拷入文件后电子数量减少--闪存变轻;
3、用过的闪存: 尽管做了格式化,0和1的数量不定,拷入文件后闪存变重或变轻;
(拷贝前后电子数相同的几率极小)
------
两个MP3文件的‘0’‘1’值的数量如果分别能确定则可确定闪存重量之变化!
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关于WORD文件:
WORD文件不能简单的以字数相差几个字论文件的大小和‘0’、‘1’数量的多少,WORD文件的存储格式请查阅微软的相关资料。
------
不同的闪存芯片的差异:电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时就会存在数量差异。
------
同一闪存的历史时期差异:晶体衰老,电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时就会存在数量差异。
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不同微机的差异:不同微机加载到控制栅的电压不同,电子注入到浮动栅中时就会存在数量差异。
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同一微机不同USB口的差异:USB1、USB2 …… 存在差异, …… 。
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同一微机的历史时期差异:微机电源元件衰老,主板元件的衰老, …… 。
------
…… …… 。

 
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21#
发表于 2008-8-1 12:44:45 | 只看该作者

不懂就问


电子有多重?能用色盲JJ的分析天平称出电子数变化时的重量差异吗?
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112 该用户已被删除
22#
发表于 2008-8-1 12:54:27 | 只看该作者
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23#
发表于 2008-8-1 12:58:51 | 只看该作者
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发表于 2008-8-1 13:19:36 | 只看该作者

回复:不懂就问


不是称量一个电子,是若干。
没有人叫您称重一个电子!


原贴:
文章来源: 冷眼看戏的Lili® 于 2008-8-1 4:44:45 (北京时间: 2008-8-1 16:44:45)
标题:不懂就问


电子有多重?能用色盲JJ的分析天平称出电子数变化时的重量差异吗?


 

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发表于 2008-8-1 13:22:52 | 只看该作者

回复:电子在静止时候其质量为9.3*10^(-31)kg,远远低于化学分析天平0.1毫克


称重的是几毫克或几十毫克的电子。
您买小米时称重过一个米粒的重量吗?


原贴:
文章来源: 112 于 2008-8-1 4:54:27 (北京时间: 2008-8-1 16:54:27)
标题:电子在静止时候其质量为9.3*10^(-31)kg,远远低于化学分析天平0.1毫克www.ddhw.com


电子在静止时候其质量为9.3*10^(-31)kg,远远低于化学分析天平0.1毫克(10^(-7)kg),所以精度为10^(-7)kg级别的天平根本无法识别数量级为10^(-31)kg的电子质量。



原贴:
文章来源: 冷眼看戏的Lili® 于 2008-8-1 4:44:45 (北京时间: 2008-8-1 16:44:45)
标题:不懂就问


电子有多重?能用色盲JJ的分析天平称出电子数变化时的重量差异吗?
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发表于 2008-8-1 13:52:20 | 只看该作者

继续请教


譬如说,手头有一个4G的U盘,借用色盲JJ的分析天平(请色盲JJ提供天平的有关参数),请介绍一下怎样来称这U盘空白时和存入文件后的重量差。
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发表于 2008-8-1 15:40:37 | 只看该作者
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发表于 2008-8-1 16:50:54 | 只看该作者

回复:讨论题:MP3和WORD文档的重量[:-K]


我想不会发生这种事,存贮是0-1的变化,看重是磁场的变化,如果你的秤能量磁场和电子,你能出结果。电池在充放电时,只一次来讲量不出来,不要把电池当水缸
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发表于 2008-8-1 18:41:15 | 只看该作者

是有变化,但是这个能称重量的天平不好找。


  是有变化,但是这个能称重量的天平不好找。




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 楼主| 发表于 2008-8-1 20:25:40 | 只看该作者

我问的不是如何称量,而是是否有可能产生差异。这里不考虑称量仪器的量程。


  我问的不是如何称量,而是是否有可能产生差异。这里不考虑称量仪器的量程。





www.ddhw.org---

据说这世界是彩色的?

 

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发表于 2008-8-1 21:39:35 | 只看该作者

简单算数


160G的ipod 有 160 x 1024^3 x 8(bit) 个存储单元,每个存储单元“困住”1000个电子,
可能增加的最大重量 = 160 x 1024^3 x 8 x 1000 x 9.1 x 10^-31 = 1.3 x 10^-15kg,而
化学分析天平精度为10^-7kg,两者相差8个数量级.

 
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32#
发表于 2008-8-1 21:52:10 | 只看该作者

回复:我问的不是如何称量,而是是否有可能产生差异。这里不考虑称量仪器的量程。


俺的意思是目前技术水平下的分析天平还无法测出多几个电子少几个电子的重量差异。
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发表于 2008-8-2 05:40:20 | 只看该作者
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发表于 2008-8-2 05:42:45 | 只看该作者
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发表于 2008-8-2 06:02:44 | 只看该作者

回复:我找了半天没找到每个存储单元需要困住多少个电子???请问有出处么?


https://www.ciol.com/content/news/2004/104121703.asp

 
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36#
发表于 2008-8-2 06:10:45 | 只看该作者

回复:我找了半天没找到每个存储单元需要困住多少个电子???请问有出处么?


https://www.freepatentsonline.com/5740104.htmlwww.ddhw.com

 
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发表于 2008-8-2 07:21:11 | 只看该作者

回复:是有变化,但是这个能称重量的天平不好找。


太无知了,称重不是必须用天平!
物理学家不是早就称出电子重量(质量)了吗!
称星球不需要任何称重的量具!
 



原贴:
文章来源: lockyou® 于 2008-8-1 10:41:15 (北京时间: 2008-8-1 22:41:15)
标题:是有变化,但是这个能称重量的天平不好找。

(无内容)
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发表于 2008-8-2 07:24:11 | 只看该作者

回复:简单算数


谁说一个单元困住1000个电子?发烧说胡话吧!



原贴:
文章来源: dm 于 2008-8-1 13:39:35 (北京时间: 2008-8-2 1:39:35)
标题:简单算数www.ddhw.com


160G的ipod 有 160 x 1024^3 x 8(bit) 个存储单元,每个存储单元“困住”1000个电子,
可能增加的最大重量 = 160 x 1024^3 x 8 x 1000 x 9.1 x 10^-31 = 1.3 x 10^-15kg,而
化学分析天平精度为10^-7kg,两者相差8个数量级.

 



 
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发表于 2008-8-2 07:27:20 | 只看该作者

回复:这个就好像,称一袋10kg的米,称完后掉出来1粒米,用磅秤能称出来区别么?


对了,不称那一粒米,要得是称重那一袋米!

www.ddhw.com

原贴:
文章来源: 112 于 2008-8-1 7:40:37 (北京时间: 2008-8-1 19:40:37)
标题:这个就好像,称一袋10kg的米,称完后掉出来1粒米,用磅秤能称出来区别么?


这个就好像,称一袋10kg的米,称完后掉出来1粒米,用磅秤能称出来区别么?


原贴:
文章来源: 中国花影 于 2008-8-1 5:22:52 (北京时间: 2008-8-1 17:22:52)
标题:回复:电子在静止时候其质量为9.3*10^(-31)kg,远远低于化学分析天平0.1毫克www.ddhw.com


称重的是几毫克或几十毫克的电子。
您买小米时称重过一个米粒的重量吗?


原贴:
文章来源: 112 于 2008-8-1 4:54:27 (北京时间: 2008-8-1 16:54:27)
标题:电子在静止时候其质量为9.3*10^(-31)kg,远远低于化学分析天平0.1毫克


电子在静止时候其质量为9.3*10^(-31)kg,远远低于化学分析天平0.1毫克(10^(-7)kg),所以精度为10^(-7)kg级别的天平根本无法识别数量级为10^(-31)kg的电子质量。

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原贴:
文章来源: 冷眼看戏的Lili® 于 2008-8-1 4:44:45 (北京时间: 2008-8-1 16:44:45)
标题:不懂就问


电子有多重?能用色盲JJ的分析天平称出电子数变化时的重量差异吗?


 



 

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发表于 2008-8-2 07:50:07 | 只看该作者

讨论的误区


楼主的问题是:U盘的重量变化
-----------
要明确:U盘前后保存的电子数量不等,所以质量肯定有变化。
           存储单元电子数量的变化量相当大,可以从‘读’出数据为证,数量少了不可以读出,有一个阈值。
           质量或重量不是必须使用称重量具,微粒子和星球的质量是间接计算出来的。
-----------
误区1:称重一个或几千、几万个个电子重量是与题不相关的。
误区2:称重天平的量程与精度也是与题不相关的。即使无任何量具也可以间接计算的。
误区3:磁盘与U盘的存储原理混为一谈,二者的存储原理是不一样的。
误区4:电子有质量,磁场无质量。           
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